Die pin-Diode (englisch positive intrinsic negative diode) ist ein elektrisches Bauelement. Der Aufbau ist ähnlich einer pn-Diode, mit dem entscheidenden Unterschied, dass sich zwischen der p- und n-dotierten Schicht eine zusätzliche schwach oder undotierte Schicht befindet. Diese Schicht ist somit lediglich intrinsisch (eigenleitend) und wird daher i-Schicht genannt. Die p- und n-Schicht sind somit nicht in direktem Kontakt, und bei Anlegen einer Sperrspannung kommt es zur Ausbildung einer größeren Raumladungszone als bei der klassischen pn-Diode. Da die i-Schicht nur wenige freie Ladungsträger enthält, ist sie hochohmig.
Die pin-Diode wird auch psn-Diode (s für schwach dotiert) oder Leistungsdiode (auf Grund der Anwendung in der Leistungselektronik) genannt.
pin-Dioden finden hauptsächlich in der Hochfrequenztechnik als gleichstromgesteuerte Widerstände (Dämpfungsglieder oder Amplitudenregler) oder gleichspannungsgesteuerte HF-Schalter Verwendung.[1] Auf Grund der vorhandenen i-Schicht erzielt man in der Leistungselektronik bei Spannungen über 1 kV ein besseres Durchlassverhalten und durch die breite Raumladungszone eine um den Faktor 5 höhere Spannungsfestigkeit als bei pn-Dioden, weshalb sie als Gleichrichter- und Freilaufdioden für hohe Spannungen und Ströme eingesetzt werden.[2] Als Photodioden werden sie zur Strahlungsmessung und als Empfänger in der Lichtwellenleiter(LWL)-Übertragungstechnik eingesetzt.
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| IRF7807D1 | International Rectifier | MOSFET SCHOTTKY DIODE |
| IRF7807D2 | International Rectifier | MOSFET SCHOTTKY DIODE |
| IRF7807VD1 | International Rectifier | FETKY MOSFET SCHOTTKY DIODE |
| IRF7807VD2 | International Rectifier | FETKY MOSFET SCHOTTKY DIODE |
| 1N6264 | Optoelectronics | GAAS INFRARED EMITTING DIODE |
| 71061 | Vishay Siliconix | P-Channel 30-V MOSFET with Schottky Diode |
| BAT54C-7 | Diodes Incorporated | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAT54CDW | Diodes Incorporated | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS |
| BAT54CDW-7 | Diodes Incorporated | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS |
| BAT54CFILM | STMicroelectronics | SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE |
| BAT54CSM | Seme | SCHOTTKY DIODE HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| BAT54C-T1 | Won-Top Electronics | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAT54C-T3 | Won-Top Electronics | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAT54CW-T1 | Won-Top Electronics | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAT54CW-T3 | Won-Top Electronics | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAT54RCLT1 | Zowie Technology Corporation | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| TLP722 | Toshiba Semiconductor | Photocoupler Photo−Diode |
| CD5356B | Compensated Deuices Incorporated | ZENER DIODE CHIPS |
| CMZ5356B | Central Semiconductor Corp | HIGH POWER ZENER DIODE VOLTS THRU VOLTS 5.0W, TOLERANCE |
| DS1104SG27 | Dynex Semiconductor | Rectifier Diode |
| TR1104SG27 | TRSYS | RECTIFIER DIODE |
| DS1107SG37 | Dynex Semiconductor | Rectifier Diode |
| TR1107SG37 | TRSYS | RECTIFIER DIODE |
| DS1109SG47 | Dynex Semiconductor | Rectifier Diode |
| DS1112SG57 | Dynex Semiconductor | Rectifier Diode |
| SG5768 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY CIRCUITS |
| SG5770 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY CIRCUITS |
| SG5772 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY CIRCUITS |
| SG5774 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY CIRCUITS |
| SG5774F | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY CIRCUITS |
| BUPD1520 | Power Innovations Limited | SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
| LMH6533 | National Semiconductor | Four Channel Laser Diode Driver with Dual Output, LVDS Interface Oscillator |
| LMH6533SP | National Semiconductor | Four Channel Laser Diode Driver with Dual Output, LVDS Interface Oscillator |
| LMH6533SPX | National Semiconductor | Four Channel Laser Diode Driver with Dual Output, LVDS Interface Oscillator |
| CM521613 | Powerex Power Semiconductors | SCR/Diode POW-R-BLOK Modules Amperes/1200-1600 Volts |
| DF25216 | Dynex Semiconductor | Fast Recovery Diode |
| DF45216 | Dynex Semiconductor | Fast Recovery Diode |
| CD471290 | Powerex Power Semiconductors | POW-R-BLOK Dual SCR/Diode Isolated Module Amperes 1600 Volts |
| CD471290A | Powerex Power Semiconductors | POW-R-BLOK Dual SCR/Diode Isolated Module Amperes 1600 Volts |
| IMN10 | Rohm | Switching diode |
| IMP11 | Rohm | Switching diode |
| 1SV232 | Toshiba Semiconductor | VARIABLE CAPACITANCE DIODE (CATV TUNING) |
| HGT4E20N60A4DS | Fairchild Semiconductor | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGTG20N60A4D | Fairchild Semiconductor | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGTG20N60B3D | Fairchild Semiconductor | 600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGTG20N60C3D | Fairchild Semiconductor | 600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| MGW20N60D | Motorola, | Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode |
| SKW20N60 | Infineon Technologies | Fast IGBT NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
| 1SV239 | Toshiba Semiconductor | VARIABLE CAPACITANCE DIODE RADIO) |
| 1SS309 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APLICATIONS) |
| 1SS301 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APLICATIONS) |
| 1SV228 | Toshiba Semiconductor | VARIABLE CAPACITANCE DIODE (ELECTRONIC TUNING APPLICATIONS RECEIVERS) |
| 1SS226 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) |
| 1SS181 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
| 1SS193 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) |
| 1SS184 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APLICATION) |
| 1SS300 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWTHCING PPLICATION) |
| 1SS352 | Toshiba Semiconductor | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) |
| 1SV160 | Toshiba Semiconductor | VARIABLE CAPACITANCE DIODE APLICATION RECEIVER) |
| 1SV285 | Toshiba Semiconductor | VARIABLE CAPACITANCE DIODE BAND RADIO) |
| MLL957B | Microsemi Corporation | LEADLESS GLASS ZENER DIODE SURFACE MOUNT |
| CMZ5953B | Central Semiconductor Corp | SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE WATT, THRU VOLTS TOLERANCE |
| BAS125-07 | Siemens Semiconductor Group | Silicon Schottky Diode low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation clamping applications) |
| BAS125-07W | Siemens Semiconductor Group | Silicon Schottky Diode low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation clamping applications) |
| BA892 | Philips Semiconductors | Band-switching diode |
| BA892-02L | Infineon Technologies | Silicon Switching Diode |
| BA892-02V | Infineon Technologies | Silicon Switching Diode |
| BAS40-02L | Infineon Technologies | Silicon Schottky Diode |
| BAS40-02V | Vishay Siliconix | Schottky Diode SOD-523 |
| BAS40-02V-GS08 | Vishay Siliconix | Schottky Diode SOD-523 |
| BAS40-02V-GS18 | Vishay Siliconix | Schottky Diode SOD-523 |
| BAS40-06HT1 | Leshan Radio Company | Comon Anode Schottky Barrier Diode |
| BAS40-06LT1 | Semiconductor | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAS40-07W | Siemens Semiconductor Group | Silicon Schottky Diode Preliminary data (General-purpose diode high-speed switching Circuit protection Voltage clamping) |
| BAS40BRW | Diodes Incorporated | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS |
| BAS40DW-04 | Diodes Incorporated | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS |
| BAS40DW-05 | Diodes Incorporated | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS |
| BAS40DW-06 | Diodes Incorporated | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS |
| BAS40L | Philips Semiconductors | Schottky barrier diode |
| BAS40-T1 | Siemens Semiconductor Group | HiRel Silicon Schottky Diode (HiRel Discrete Microwave Semiconductor General-purpose diodes high-speed switching Circuit protection) |