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IRG4BC20MD-S DIODE DER DATENBLATT

Transistorgehäuse :

Hersteller : International Rectifier

Pins :

Beschreibung : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

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