1SV100 DIODE DER DATENBLATT

Transistorgehäuse :

Hersteller : Toshiba Semiconductor

Pins :

Beschreibung : SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C